Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (60)

FQB7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 7.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD19N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15.6A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQI4N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

945пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP4N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7204PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3А 2.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 031 шт

Цена от:

от 14,23₽

Акция

IRFD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ24GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

24 704 шт

Цена от:

от 26,58₽

IRFR020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR024TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 68Вт, 0.04 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 647 шт

Цена от:

от 30,00₽

Акция

IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 316 шт

Цена от:

от 53,28₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"