Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
Акция
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18.4A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11.4 мОм
Мощность макс.:
52.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
27.8A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 40 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10.8 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STN4NF06L STN4NF06L Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"