Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (112)

DMN53D0LW-7 Транзистор полевой N-канальный 50В 0.36A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 320мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.2нКл Входная емкость: 45.8пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVT-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC602P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC604P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1926пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1699пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC608PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC634P Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637AN Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 895пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC638P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC640P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 53 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 925пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P-F085 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 14.7A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFM2P110 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET 3x3mm Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2N028Z Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA3N109 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 123 мОм Мощность макс.: 650мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"