Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (158)
IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
677 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,11
Акция STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 30В Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 283пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11,93
AO3414 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 436пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO3435 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 745пФ Тип монтажа: Surface Mount
AON2406 Полевой транзистор N-канальный 20В 8A 6-Pin DFN-B EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 6-DFN-EP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012UW-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013T-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 270мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013UW-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.82A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 820мА Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2301U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3415U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 294пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004K-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004WK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 907пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2065UW-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 430мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2075U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2100UDM-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 4A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 555пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2230U-7 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 188пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2600UFB-7 Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.85нКл Входная емкость: 70.13пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"