Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFS38N20DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 5320пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4460пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 150нКл @ 10В Входная емкость: 5380пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 10В Входная емкость: 4700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXTT6N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 56нКл @ 10В Входная емкость: 1950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STF12N65M5 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 4.3А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 900пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF18NM80 MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 8.5А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 70нКл @ 10В Входная емкость: 2070пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
STF8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 690пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Акция STP45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35А 208Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 78 мОм @ 19.5А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 3375пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STW30N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 139 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 64нКл @ 10В Входная емкость: 2880пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"