Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF7473TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6.9A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 3180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFB59N10DPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2450пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB61N15DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3470пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIB41N15DPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 41 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 41A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2520пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP4710PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 72А 190Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 72A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 6160пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFR13N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 14А 86Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR13N20DPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 13А 110Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 235 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 830пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR15N20DPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR15N20DTRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR18N15DPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR18N15DTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9N20DPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.4A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS31N20DPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 31A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 107нКл
Входная емкость: 2370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXFH26N50P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD (IXFH)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPB20N60S5ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 103нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPP11N60S5XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 54нКл
Входная емкость: 1460пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60S5
Транзистор полевой N-канальный 600В 1.8A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.