Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (94)
AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 35А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF4905S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 3500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7739L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 375A DIRECTFET2 Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A(Ta),270A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 мОм @ 160А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 330нКл @ 10В Входная емкость: 11880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7759L2TR Полевой транзистор N-канальный 75В 160A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 96А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 12222пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 74А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 11560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4105Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 27нКл @ 10В Входная емкость: 740пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR5410TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 7.8А, 10В Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 58нКл @ 10В Входная емкость: 760пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR6215 Транзистор, Auto Q101 Pкан -150В -13А [D-PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 860пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A(Tc) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 19нКл @ 10В Входная емкость: 350пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 9575пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 9575пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
AUIRFZ44N Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 49А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1470пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRFZ44VZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44Z Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 51А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 7350пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 185нКл @ 10В Входная емкость: 9310пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"