Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (63)
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
140 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 318,27
SPP17N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 208Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 035 шт

Под заказ:
495 шт
Цена от:
от 154,95
SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
827 шт

Под заказ:
758 шт
Цена от:
от 168,98
SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3-1 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
45 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 735,68
SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 341,52
SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
315 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 186,71
SPW24N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 240Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24.3A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 431,72
SPW35N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 34.6А 313Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 34.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
180 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 612,80
AUIRFB8409 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 450нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция AUIRFR8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 041 шт
Цена от:
от 63,35
Акция AUIRFR8405 Транзистор полевой N-канальный 40В 100А 163Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.98 мОм Мощность макс.: 163Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 5171пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
87 шт
Цена от:
от 323,62
AUIRFS8403TRL Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 123 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 123A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 3183пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS8405TRL Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 120 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 163Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 161нКл Входная емкость: 5193пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AUIRFS8407-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7437пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
245 шт
Цена от:
от 378,07
AUIRFS8408-7P Транзистор полевой N-канальный 40В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak 7 Pin Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 315нКл Входная емкость: 10250пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7480MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DirectFET[тм] Isometric ME Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 217A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 6680пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS7430-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 240А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 460нКл Входная емкость: 13975пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7434TRL7PP Транзистор полевой N-канальный 40В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 315нКл Входная емкость: 10250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS7437-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 231Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7437пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
217 шт
Цена от:
от 207,39
Акция IRFS7440PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 895 шт
Цена от:
от 47,77
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"