Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
DMP2022LSS-13 Транзистор полевой P-канальный 20В 10A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 56.9нКл Входная емкость: 2444пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2066UFDE-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 6.2A автомобильного применения 6-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN6 2020 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14.4нКл Входная емкость: 1537пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP31D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 30В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 76пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 8555пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLHM630TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3170пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTA4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT416 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.82нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTE4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.82нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBK,215 Транзистор полевой P-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBKMB,315 Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7655DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"