Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (72)
Новинка 2V7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2V7002LT3G Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRLS4030-7P Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11490пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS127S-7 Транзистор полевой N-канальный 600В 0.05A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 50мА Сопротивление открытого канала: 160 Ом Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 1.08нКл Входная емкость: 21.8пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS84AKM,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 340мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 0.35нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK6217-55C,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 33.8нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7631-100E,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.4нКл Входная емкость: 1738пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9212-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 3519пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK92150-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 338пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9226-75A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 45 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 24.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9230-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 3805пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9237-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 32A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1236пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 38.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9277-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9614-60E,118 Транзистор полевой N-канальный 60В 56A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 12.8 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 20.5нКл Входная емкость: 2651пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9640-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 39A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-80E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 349Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 17130пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой N-канальный 40В 174A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 254Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 7124пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"