Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (86)

2SK3115 Транзистор полевой N-канальный 600В 6А Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

2SK3115B Транзистор полевой N-канальный 600В 6А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

2SK3532 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 70Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

2SK4005 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 6А 70Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

2SK4100 Транзистор полевой N-канальный 650В 6А 33Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

BSL207SPH6327XTSA1 Полевой транзистор P-канальный 20В 6A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSO220N03MDG Транзистор полевой 2N-канальный 30В 6A 8DSO Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: 2N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ340N08NS3G Полевой транзистор N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6068LK3-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 6А 8.49Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 2.12Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.3нКл Входная емкость: 502пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVT-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCPF850N80Z Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 28.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1315пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB3502 Транзистор полевой N-канальный 75В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 815пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1699пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME510PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"