Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (86)
2SK2651 2SK2651 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 50Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3115 2SK3115 Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
2SK3115B 2SK3115B Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
2SK3532 2SK3532 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4005 2SK4005 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4100 2SK4100 Транзистор полевой N-канальный 650В 6А 33Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 Полевой транзистор P-канальный 20В 6A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSO220N03MDG Транзистор полевой 2N-канальный 30В 6A 8DSO
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
2N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3G Полевой транзистор N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-CPH
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4V Drive
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 6А 8.49Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
2.12Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.3нКл
Входная емкость:
502пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP2035UVT-7 DMP2035UVT-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
23.1нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCPF850N80Z FCPF850N80Z Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
28.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3682 FDB3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC606P FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1699пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-F085 FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME510PZT FDME510PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"