Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (39)
IPD100N04S402ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3-313 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 9430пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP05CN10NGXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
IPP100N04S303AKSA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 9600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFH7085TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 6460пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3711TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2980пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR6225PBF Транзистор полевой 20В 100A 4.0мОм 2.5В Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
112 шт.
Цена от:
от 63,64
PH2520U,115 Полевой транзистор N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 5850пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 6380пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 10180пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-30PL,127 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 211Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 6810пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 31.3нКл Входная емкость: 2256пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 8400пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 148Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42.3нКл Входная емкость: 2683пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN5R5-60YS,115 Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3501пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN5R6-100BS,118 Полевой транзистор N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 141нКл Входная емкость: 8061пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIRA00DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 11700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SMP3003-DL-1E Полевой транзистор, P-канальный, 75 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 13400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL100N6LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL20N6F7 Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"