Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (47)
SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7174DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7658ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4590пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIE818DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(L) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIJ482DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 69.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR158DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4980пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR404DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 8130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR440DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.55 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR470DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 5660пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR804DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR866DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR880ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2289пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1975пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIRA10DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB60NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB60NF10T4 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"