Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (52)
IPD200N15N3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 150В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD50N06S409ATMA2 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPD50P04P413ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3670пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD50P04P4L11ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3-313 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP055N03LGXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IPP093N06N3GXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFZ44STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ48RPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTA50N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTQ50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P] Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
KF50N06P Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 96Вт Производитель: Korea Electronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал
MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN015-60PS,127 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20.9нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Through Hole
RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 131Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"