Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (63)

IRF8010STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3607TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXFK80N60P3 Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 13100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB100N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4F6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB140NF55T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB155N3H6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB155N3LH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 182нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55-06T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB80NF55-08T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55L-06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB80PF55T4 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 258нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB85NF55T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4F6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 2.8 мОм Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"