Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (103)
2SK3568 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 40Вт (рекомендуемая замена: TK12A50D) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3706 Полевой транзистор, N-канальный, 100В 12А 20Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал
AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 105 шт
Цена от:
от 8,99
AOD407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -12А 115 мОм Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1185пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD413A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AOD454 Транзистор полевой N-канальный 40В 12А 25Вт (рекомендуемая замена:AOD454A) Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал
BSC090N03MSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A 8-Pin TDSON EP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSC100N06LS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 12A серия OPTIMOS3 TDSON8 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSC120N03LSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 12A серия OPTIMOS3 TDSON8 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSZ060NE2LS Полевой транзистор N-канальный 25В 12A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ097N04LSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A TSDSON8 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUK9832-55A/CUX Транзистор полевой N-канальный 55В 12A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
DMP3020LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1802пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB3632 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6690A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC510P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7860пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC7696 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1430пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8327L Транзистор полевой N-канальный 40В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-MLP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.7 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86103L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3710пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP12N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1676пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"