Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (60)
FDB3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1874пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8451 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86160 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC8884 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 685пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS4435BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF10N60ZUT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Through Hole
FDS6692A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1610пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA9N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole
FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD12N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD12N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP9N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N50CF Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"