Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (73)
2SK2605 Транзистор полевой N-канальный 800В 5А 45Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK2671 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5А 40Вт Производитель: Shindengen Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3255 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5А 35Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3565(STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
2SK3700(F) Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole
AOD482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ42DN25NS3G Полевой транзистор N-канальный 250В 5A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
CSD16301Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.55В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD85301Q2 Транзистор полевой N-канальный 20В 5A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: WSON-6 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 5А, 4.5В Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMN6040SSDQ-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
DMN6040SVT-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22.4нКл Входная емкость: 1287пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB2552 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC653N Транзистор полевой N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP2552 Транзистор полевой N-канальный 150В 37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP42AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"