Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (67)

CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

5.4 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.7В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

23.9 мОм

Мощность макс.:

2.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

4.7нКл

Входная емкость:

655пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMC7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

4830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8670S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP20N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

59.5нКл

Входная емкость:

3120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF20N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

38.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

38.2 мОм

Мощность макс.:

33.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

93Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

128Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF76629D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1285пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUFA76429D3ST_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPG20N06S4L11ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 20A автомобильного применения 8-Pin TDSON

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPG20N10S4L22AATMA1 Сборка MOSFET транзисторов

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.32В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 753 шт

Цена от:

от 38,70₽

Акция

IRF9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

5250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

44 953 шт

Цена от:

от 14,94₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"