Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (67)

CSD17309Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23.9 мОм Мощность макс.: 2.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 4.7нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMC7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 4830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8670S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP20N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 59.5нКл Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF20N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм Мощность макс.: 33.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF76629D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUFA76429D3ST_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPG20N06S4L11ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 20A автомобильного применения 8-Pin TDSON Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPG20N10S4L22AATMA1 Сборка MOSFET транзисторов Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 114 шт

Цена от:

от 44,12₽

Акция

IRF9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

31 179 шт

Цена от:

от 20,32₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"