Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
2SK3878
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 9A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
IPD90R1K2C3ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 5.1А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPP90R340C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 94нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW90R340C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 94нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STB6NK90ZT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 5.8A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 60.5нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD2NK90ZT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.1A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 485пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD3NK90ZT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 90Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22.7нКл
Входная емкость: 590пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STF9NK90Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 40Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2115пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP21N90K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 18.5A
Сопротивление открытого канала: 299 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1645пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK90ZFP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22.7нКл
Входная емкость: 590пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP9NK90Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2115пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NK90Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 980 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW21N90K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 18.5A
Сопротивление открытого канала: 299 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1645пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW9NK90Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2115пФ
Тип монтажа: Through Hole
2SK1460LS
Транзистор полевой N-канальный 900В 3.5А 3.6Ом 40Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 3.6Ом
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK1461
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 5А 120Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 5A
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2611
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 9А 150Вт (Recommended replacement: TK9J90E)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 9A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2651
Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 50Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2654
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 8А 150Вт
Производитель: Fujitsu Microelectronics
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.