Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FQD2P40TM
Полевой транзистор, P-канальный, 400 В, 1.56 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.56A
Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P40TM
Транзистор полевой P-канальный 400В 2.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N40CTM
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 4.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 625пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FQP11N40C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 530 мОм
Мощность макс.: 135Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1090пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP17N40
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16A TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 16А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
FQP4P40
Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N40C
Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 530 мОм
Мощность макс.: 44Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1090пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N40
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU5N40TU
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.4A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF360
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-3
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Тип транзистора: N-канальный
IRF710PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF710SPBF
Транзистор полевой N-канальный 400В 2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF720PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.3А 50Вт, 1.8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 410пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF730APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF730ASPBF
Транзистор полевой N-канальный 400В 5.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF730PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF730SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF740ALPBF
Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF740APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF740ASPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1030пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.