Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (264)
Акция BSP297H6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.66A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
576 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,86
BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 400mА, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 1mA Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 945 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 21,33
BUZ30AH3045AATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 81,31
Новинка IPB117N20NFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 84А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
70 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 285,19
IPP110N20N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 88A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
278 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 366,38
IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
533 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 72,89
IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
507 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 85,35
Акция IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
454 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 52,24
IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 500 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 84,33
IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
57 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 325,95
IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 4220пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 850 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 137,79
Акция IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
148 шт

Под заказ:
53 000 шт
Цена от:
от 163,25
IRFB38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
815 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 146,96
IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 171 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,52
IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
807 шт

Под заказ:
8 300 шт
Цена от:
от 126,77
IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
108 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 152,70
IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
469 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 119,66
IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
400 шт
Цена от:
от 295,34
Акция IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 251 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 90,80
IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 234нКл Входная емкость: 4057пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
316 шт

Под заказ:
400 шт
Цена от:
от 126,42
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"