Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (190)
Акция 2SK2038 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5А 125Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
38 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,14
2SK2647 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4А 40Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
28 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 112,59
Акция 2SK2649 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 100Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
16 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 96,03
Акция 2SK2766 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 80Вт Производитель: Fujitsu Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
68 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 101,88
Акция 2SK3633 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 150Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7A Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
53 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 102,89
Акция 2SK4013 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 45Вт (рекомендуемая замена: TK6A80E) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
222 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 71,26
IPA80R280P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 30Вт, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17А Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
197 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 182,33
IPA80R360P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 13А 30Вт, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 13А Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 235,93
Акция IPA80R650CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
291 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 189,23
Акция IPU80R1K4P7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
150 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
48 шт
Цена от:
от 51,43
Акция IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10.05нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 36,61
SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 248,90
Акция SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
49 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 296,32
Акция SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
158 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 419,62
SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 010 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 216,05
SPW11N80C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 156Вт CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11А Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
658 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 288,44
SPW55N80C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 55A 85мОм TO247-3 CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 55A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
11 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 987,91
STB7NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5 Ом, 5.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 115,65
STF11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 0.35 Ом, 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
104 шт

Под заказ:
405 шт
Цена от:
от 156,80
STF15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
59 шт

Под заказ:
33 шт
Цена от:
от 363,64
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"