Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (56)

CSD16411Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 56 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 3.8нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16413Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 1780пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2600UFB-7 Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.85нКл Входная емкость: 70.13пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 4410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7556S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7558S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 119нКл Входная емкость: 7770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7560S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 5945пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4515пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.06В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 9.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 709 шт

Цена от:

от 3,30₽

Акция

FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.31нКл Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 680мА Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

80 441 шт

Цена от:

от 3,43₽

FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 63пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 3890пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В Входная емкость: 5150пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 53нКл @ 4.5В Входная емкость: 4280пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6811STRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SQ Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"