Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (242)
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
208 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 206,64
SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
304 шт

Под заказ:
3 500 шт
Цена от:
от 156,77
SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
24 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 532,17
SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3-1 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
44 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 789,63
SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
916 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,47
Акция SPW20N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 208Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
90 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
287 шт
Цена от:
от 582,40
SPW24N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 240Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24.3A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
83 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 493,66
SPW35N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 34.6А 313Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 34.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
194 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 483,12
STD16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
81 шт

Под заказ:
12 500 шт
Цена от:
от 191,13
Акция STD8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
99 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 90,92
STF16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
168 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 407,51
STF21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
34 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 214,54
STF42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 79 мОм @ 16.5А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 4650пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
84 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 249,76
STP21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
793 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 90,76
STW77N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69А 400Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 9800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
150 шт
Цена от:
от 757,22
Акция STY112N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 350нКл Входная емкость: 16870пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
28 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 487,60
TK13A65U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 13А 40Вт (рекомендуемая замена: TK11A65W, TK380A65Y) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
26 шт

Под заказ:
500 шт
Цена от:
от 83,95
Акция TK3A65DA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3АВт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3A Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
5 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 30,80
TK8A65D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8А 45Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
354 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 120,22
WMJ53N65C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 650В, ток стока 50А Производитель: Wayon Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 50А Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
67 шт

Под заказ:
1 666 шт
Цена от:
от 254,32
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"