Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STD17NF25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29.5нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SJ307
Транзистор полевой P-канальный 250В 6А 30Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: P-канал
AUIRF7799L2TR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 35A DIRECTFET
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET L8
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 375A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.: 4.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 165нКл @ 10В
Входная емкость: 6714пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4292
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 9.3 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 9.3A
Сопротивление открытого канала: 345 мОм
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 705пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSP126,115
Транзистор полевой N-канальный 250В 375мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 375мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSP92PH6327
Транзистор полевой P-канальный 250В 0.26A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 0.26A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BSR92PH6327XTSA1
Транзистор полевой P-канальный 250В 0.14A Aвтомобильного применения 3-Pin SC-59
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 0.14A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
BSZ16DN25NS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 250В 10.9A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 0.9A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ42DN25NS3G
Полевой транзистор N-канальный 250В 5A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 5A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
CPC3703CTR
Транзистор полевой N-канальный 250ВAвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 360мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDA59N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 49 мОм
Мощность макс.: 392Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 82нКл
Входная емкость: 4020пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDA69N25
Транзистор полевой N-канальный 250В 69A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PN
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 69A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 480Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4640пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDB2710
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 50 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм
Мощность макс.: 260Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 101нКл
Входная емкость: 7280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB33N25TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 94 мОм
Мощность макс.: 235Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 2135пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB44N25TM
Транзистор полевой N-канальный 250В 44A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 307Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 2870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N25TM
Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N25LZTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 6.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 550 мОм @ 3.1А, 10В
Мощность макс.: 56Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 16нКл @ 10В
Входная емкость: 635пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS2734
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 122 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 2365пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.