Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (124)
IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 106,29
IRFB3207ZGPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
85 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 359,35
IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6920пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
172 шт

Под заказ:
1 750 шт
Цена от:
от 77,34
IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
386 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 90,65
IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
64 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 132,99
IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 183A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 290Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,77
IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
400 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 490,50
Акция IRFP3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 340Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 340Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
31 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 356,00
IRFP7718PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 517Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 517Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 830нКл Входная емкость: 29550пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
392 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 512,96
IRFR2407TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
40 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,57
IRFR3607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 943 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,63
Акция IRFR7740TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A TO-252AA-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
723 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 172,44
IRFS7734TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 183A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 290Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
800 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 193,67
STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 218нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
534 шт

Под заказ:
710 шт
Цена от:
от 308,74
STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 218нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
67 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 197,19
STP75NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 190 шт

Под заказ:
4 800 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 52,36
AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3808S Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 106 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7759L2TR Полевой транзистор N-канальный 75В 160A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 96А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 12222пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFP2907 Транзистор полевой N-канальный 75В 90A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 620нКл Входная емкость: 13000пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"