Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BSC123N08NS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 11A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ110N08NS5ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ340N08NS3G
Полевой транзистор N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 6A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BUK763R8-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 169нКл @ 10В
Входная емкость: 12030пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7Y14-80EX
Полевой транзистор N-канальный 80В 65A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 65A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 44.8нКл @ 10В
Входная емкость: 3155пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9611-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 48.8нКл @ 5В
Входная емкость: 7149пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-80E,118
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 349Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 123нКл
Входная емкость: 17130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y11-80EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 84A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 84A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 194Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 44.2нКл @ 5В
Входная емкость: 6506пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y72-80E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 15A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 7.9нКл @ 5В
Входная емкость: 898пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FDB0190N807L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 270А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FDC3512
Транзистор полевой N-канальный 80В 3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SSOT6
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 634пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDC3535
Полевой транзистор, P-канальный, 80 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SSOT6
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 2.1A
Сопротивление открытого канала: 183 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD86326
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 1035пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86324
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 965пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS3572
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 2490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86300
Транзистор полевой N-канальный 80В 19A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 7082пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86300DC
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 24 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 101нКл
Входная емкость: 7005пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.