Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (102)
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A TSDSON-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
40A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3G Полевой транзистор N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK763R8-80E,118 BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
169нКл @ 10В
Входная емкость:
12030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Полевой транзистор N-канальный 80В 65A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
65A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
44.8нКл @ 10В
Входная емкость:
3155пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
182Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
48.8нКл @ 5В
Входная емкость:
7149пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
17130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y11-80EX BUK9Y11-80EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 84A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
84A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
194Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
44.2нКл @ 5В
Входная емкость:
6506пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y72-80E,115 BUK9Y72-80E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
72 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
7.9нКл @ 5В
Входная емкость:
898пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB0190N807L FDB0190N807L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
270А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL86361-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) TO-LL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
300А
Тип транзистора:
N-канальный
FDC3512 FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC3535 FDC3535 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
183 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86326 FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86324 FDMC86324 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86340ET80 MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
''
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
48А
Тип транзистора:
N-канальный
FDMD8680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 66A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
66А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3572 FDMS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300 FDMS86300 Транзистор полевой N-канальный 80В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
7082пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"