Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6828)

IRF644STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В Входная емкость: 5950пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6614TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.7A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6641TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 48нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6643TRPBF Полевой транзистор N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 2210пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6646TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 12A(Ta),68A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2060пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 31нКл @ 10В Входная емкость: 1360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 3890пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В Входная емкость: 5150пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6726MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 77нКл @ 4.5В Входная емкость: 6140пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6727M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32А Тип транзистора: N-канальный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 059 шт

Цена от:

от 112,17₽

IRF6775MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1411пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6795MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A DIRECTFET-MX Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 53нКл @ 4.5В Входная емкость: 4280пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6811STRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SQ Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF710SPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 582 шт

Цена от:

от 41,44₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"