Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6839)
IRF2805SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 135 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF2807SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт, 0.013 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 82A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
506 шт
Цена от:
от 130,63
IRF2807ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF2807ZSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
156 шт
Цена от:
от 398,55
IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF3205SPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 3247пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF3205ZLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF3315STRLPBF MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF3415SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 232 шт
Цена от:
от 149,57
IRF360 400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-3 Напряжение исток-сток макс.: 400В Тип транзистора: N-канальный
IRF3704ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 67 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF3706SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 77 А, 88 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF3709STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF3709ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF3709ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 87A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 4.5В Входная емкость: 2130пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"