Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6828)

IRF6215SPBF Транзистор полевой P-канальный 150В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

37 шт.

Цена от:

от 565,63₽

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 779 шт

Цена от:

от 46,81₽

IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF624SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 4.4 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 507 шт

Цена от:

от 63,10₽

Акция

IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF634STRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 8.1 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

34 265 шт

Цена от:

от 37,69₽

IRF640NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

34 265 шт

Цена от:

от 40,68₽

IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF644PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"