Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
Акция IRF540N Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: TO-220AB
IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 707 шт
Цена от:
от 30,95
IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 707 шт
Цена от:
от 34,69
IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF540ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 36 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF540ZSTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 36 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF5805TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 511пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF5806TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
IRF610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
IRF610PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W Производитель: Vishay Корпус: TO-220
IRF610SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF610STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF614SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.7 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 8555пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF6201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A(Ta) Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 100 µA Заряд затвора: 195нКл @ 4.5В Входная емкость: 8555пФ @ 16В Тип монтажа: Surface Mount
IRF620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"