Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
IRF150P221XKMA1 Производитель: Infineon Technologies
Акция IRF1607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 142А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 142A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 7750пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF200P222 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 182А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IRF200P223 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IRF200S234 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 90А Сопротивление открытого канала: 16.9мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRF2204SPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 170A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF250P225 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 69А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF2804S-7PPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 6930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2804SPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
95 шт
Цена от:
от 189,64
IRF2804STRL7PP Полевой транзистор N-канальный 40В 280A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7
IRF2805SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 135 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 135A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 104А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 5110пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2807SPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 82А 200Вт, 0.013 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 82A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
246 шт
Цена от:
от 123,57
IRF2807ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRF2807ZSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2907ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
56 шт
Цена от:
от 491,46
IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF3205SPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 3247пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"