Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IPW60R170CFD7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 14А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R037C6FKSA1
Транзистор полевой N-канальный 700В 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 3.2A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R045C7FKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 46A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 93нКл
Входная емкость: 4340пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R048CFDAFKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 63.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 63.3А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R065C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 33A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R070C6FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 53.5А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R080CFDAFKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 43.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 43.3А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R080CFDFKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.3A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R095C7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 11.8А, 10В
Мощность макс.: 128Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 590 µA
Заряд затвора: 45нКл @ 10В
Входная емкость: 2140пФ @ 400В
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R110CFDFKSA1
Полевой транзистор N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 31.2A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 277.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 118нКл
Входная емкость: 3240пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R150CFDFKSA1
Полевой транзистор N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 2.4A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190C7XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 13A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190CFDFKSA1
Полевой транзистор N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 17.5A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 151Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1850пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R190E6FKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 20,2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.2A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 151Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 73нКл
Входная емкость: 1620пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW65R280E6FKSA1
Полевой транзистор N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 13.8A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 950пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.