Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (390)

IRLR120PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLU024PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5802NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5025пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 234 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 500пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STQ3N45K3-AP Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 600 мА Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 3.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"