Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (410)
SI7106DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7137DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 585нКл Входная емкость: 20000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7141DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 400нКл Входная емкость: 14300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7157DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 625нКл Входная емкость: 22000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 5590пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7635DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 4595пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7655DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8489EDB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI8817DB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount
SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 75нКл Тип монтажа: Surface Mount
SIA437DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 29.7A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 29.7A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIB912DK-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 20В 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-75-6L Dual Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 216 мОм @ 1.8А, 4.5В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71155 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"