Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IPD50N10S3L16ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 50А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50P04P413ATMA1
Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм
Мощность макс.: 58Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 3670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50P04P4L11ATMA1
Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3-313
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм
Мощность макс.: 58Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 59нКл
Входная емкость: 3900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R1K4CEAUMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R1K4CEBTMA1
Транзистор полевой N-канальный 500В 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.1A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R2K0CEAUMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.6А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R380CEATMA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 9.9A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 73Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Super Junction
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 24.8нКл
Входная емкость: 584пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R3K0CEAUMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.6А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD50R950CEAUMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.3А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R1K4C6ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 5A лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 49Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 9.4нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R380P6ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10.6А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R385CPATMA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 385 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R3K3C6ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 1.7А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.