Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (484)

STB34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB35N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 27А 0.098 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 83нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB36NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB42N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB45N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 35 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3375пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB46N30M5 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 53 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80N20M5 Транзистор полевой N-канальный 200В 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4329пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD11NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 8.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD13NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 109Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 24.5нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD2N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 95пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD2N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"