Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

FDB3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC8601 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 144 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD10AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD120AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1874пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 21A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 34 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 44А 28 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3682 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD390N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 26А 63Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.6нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 2739пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"