Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (358)
STD36P4LLF6 STD36P4LLF6 Полевой транзистор P-канальный 40В 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
36A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
STD80N4F6 STD80N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD95N4F3 STD95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD95N4LF3 STD95N4LF3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STH270N4F3-6 STH270N4F3-6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 180 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL120N4F6AG Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 8-Pin Power Flat EP лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Акция
STL140N4LLF5 STL140N4LLF5 Транзистор полевой N-канальный 40В 140A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
2.75 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
5900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL70N4LLF5 STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STP120N4F6 STP120N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP95N4F3 STP95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
48.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
8.1 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
159нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
11300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TPCP8107 Транзистор полевой Р-канальный 40В
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Тип транзистора:
P-канальный
TPH1R204PL,L1Q(M Полевой транзистор N-канальный 40В 246A 8-Pin SOP Advance лента на катушке
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
246A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN4A06KTC ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.1нКл
Входная емкость:
827пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP4A16GTA ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.1нКл
Входная емкость:
1007пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"