Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (358)
STD36P4LLF6 Полевой транзистор P-канальный 40В 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 36A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
STD80N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD95N4LF3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Surface Mount
STH270N4F3-6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 180 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 7400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL120N4F6AG Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 8-Pin Power Flat EP лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Акция STL140N4LLF5 Транзистор полевой N-канальный 40В 140A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 5900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STP120N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 48.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-08-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 8.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 159нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P04-09L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P04-05-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 280нКл Входная емкость: 11300пФ Тип монтажа: Surface Mount
TPCP8107 Транзистор полевой Р-канальный 40В Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Тип транзистора: P-канальный
TPH1R204PL,L1Q(M Полевой транзистор N-канальный 40В 246A 8-Pin SOP Advance лента на катушке Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 246A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 827пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26.1нКл Входная емкость: 1007пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"