Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STW34NM60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 250Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 105 мОм
Мощность макс.: 210Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 2722пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW4N150
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW88N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 84А 450Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 84A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 450Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 204нКл
Входная емкость: 8825пФ
Тип монтажа: Through Hole
SVT078R0ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 88A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 98В
Ток стока макс.: 88А
Тип транзистора: N-канальный
WM01P41M
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 12В, ток стока 4.1А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 4.1А
Тип транзистора: P-канальный
WM02N28M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 2.8А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.8А
Тип транзистора: N-канальный
WM02N50M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 5.А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 5А
Тип транзистора: N-канальный
WM02P26M
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 2.6А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.6А
Тип транзистора: P-канальный
WM03DP50A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный сдвоенный напряжение сток-исток 30В, ток стока 5А
Производитель: Wayon
Корпус: SOP-8L
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5А
Тип транзистора: P-канальный
WM03N32M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 3.2А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.2А
Тип транзистора: N-канальный
WM03N57M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 5,8А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.8А
Тип транзистора: N-канальный
WM03N58M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 5.8А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.8А
Тип транзистора: N-канальный
WM03N58M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 5.8А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.8А
Тип транзистора: N-канальный
WM03P41M
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 4.1А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4.1А
Тип транзистора: P-канальный
WM04N50M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 40В, ток стока 5А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 5А
Тип транзистора: N-канальный
WM06N30M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 3А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3А
Тип транзистора: N-канальный
WM06P17MR
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 1.7А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.7А
Тип транзистора: P-канальный
WM10N33M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 3,3А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 3.3А
Тип транзистора: N-канальный
WMB017N03LG2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 100А
Производитель: Wayon
Корпус: PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100А
Тип транзистора: N-канальный
WMB018N04LG2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130A 1.8мОм PDFN5060-8L
Производитель: Wayon
Корпус: PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 130А
Сопротивление открытого канала: 1.8мОм
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.