Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Through Hole (1890)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (3523)

ZXMN10A11GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4А Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A11KTC Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 274пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A25GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 859пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Связаться с инженером по применению

ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 497пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

ZXMN15A27K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.55A Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.55А Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Связаться с инженером по применению

ZXMN20B28KTC Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 358пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A01FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 303пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A03E6TA Транзистор полевой N-канальный 20В 3.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 837пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A14FTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.6нКл Входная емкость: 544пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2B03E6TA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2F30FHTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01E6TA Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01FTA Транзистор полевой N-канальный 30В 1.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 448пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3B14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 568пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3F30FHTA Транзистор полевой N-канальный 30В 3.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 950мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 318пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN4A06KTC Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 827пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07FQTA Полевой транзистор N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 1.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.2нКл Входная емкость: 166пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71155 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"