Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
STB10N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB11N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 644пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB11NM60T4 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB13N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB15N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB15NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 14 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB20N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 17.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 330 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB21N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB21N90K5 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 18.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB25N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 19.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB25NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А, 160 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 148 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1865пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 119 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB34N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"