Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (374)

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIB456DK-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-75-6L Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIE818DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(L) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIE822DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(S) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR804DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR846ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR880ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2289пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS468DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS890DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 802пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD70NS04ZL Полевой транзистор N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD23N06-31-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21.4 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 31.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"