Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

AUIRLS3034 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 195А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 162нКл @ 4.5В Входная емкость: 10315пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLS3036-7P Транзистор полевой N-канальный 60В 300A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 11270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 36нКл @ 5В Входная емкость: 1620пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BS270 Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BSC014N06NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 6500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC016N06NS Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC018NE2LSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC022N04LSATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSH103,235 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.85А 0.75Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

97 292 шт

Цена от:

от 8,98₽

BSH105,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.05A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 570mВ Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 152пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 284 шт

Цена от:

от 17,79₽

BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSH202,215 Транзистор полевой P-канальный 30В 520мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 520мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 80пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSN20-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP126,115 Транзистор полевой N-канальный 250В 375мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 375мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP220,115 Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP230,135 Транзистор полевой P-канальный 300В 210мА, 1.5Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 210мА Сопротивление открытого канала: 17 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.55В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

40 шт

Цена от:

от 80,49₽

BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 808 шт

Цена от:

от 1,38₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"