Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3512)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (358)

SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

21.5нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR414DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

117нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR416DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR422DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

34.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1785пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR470DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

5660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR836DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

15.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.6 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS443DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11.7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2389ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

94 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQS401EN-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

16А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB270N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

7400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4F6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"