Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (358)

SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR414DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR416DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR422DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 34.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR470DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 5660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR836DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS443DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2389ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQS401EN-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB270N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 160A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 7400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4F6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"