Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FQU20N06LTU
Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17.2A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 630пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU2N100TU
Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 9 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15.5нКл
Входная емкость: 520пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU2N60CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 235пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU3N50CTU
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 365пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU5N40TU
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.4A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQU5N60CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
G2R120MT33J
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 34А
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 3300В
Ток стока макс.: 34А
Тип транзистора: N-канальный
G2R50MT33K
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3300В 63А
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.: 3300В
Ток стока макс.: 63А
Тип транзистора: N-канальный
G3R160MT12D
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 19А 106Вт
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 19А
Мощность макс.: 106Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
G3R20MT12K
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 100А
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 100А
Тип транзистора: N-канальный
G3R30MT12K
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 70А
Производитель: GENESIC SEMICONDUCTOR
Корпус: TO-247-4L
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 70А
Тип транзистора: N-канальный
GC044N60QF
Транзистор полевой N-канальный 600В 60A
Производитель: GOFORD SEMICONDUCTOR CO.,LTD
Корпус: TO-247
HKTD4N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A, 1.7мОм
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5А
Сопротивление открытого канала: 1.7мОм
Тип транзистора: N-канальный
HKTQ30N03
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A, 5.3 мОм
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: PDFN3*3-8l
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 30А
Сопротивление открытого канала: 5.3мОм
Тип транзистора: N-канальный
HKTQ80N03
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 80A, 5.2мОм
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: PDFN3*3-8l
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 80А
Сопротивление открытого канала: 5.2мОм
Тип транзистора: P-канальный
HUF75321D3ST
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 93Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
HUF75321P3
Транзистор полевой N-канальный 55В 35A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 34 мОм
Мощность макс.: 93Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF75329D3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 128Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 1060пФ
Тип монтажа: Surface Mount
HUF75332P3
Транзистор полевой N-канальный 55В 60A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 145Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 85нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.