Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FQP8N90C
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6.3A
Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом
Мощность макс.: 171Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2080пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP8P10
Транзистор полевой P-канальный 100В 8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 530 мОм
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 470пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP9N30
Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 98Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP9N90C
Транзистор полевой N-канальный 900В 8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 205Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 2730пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQP9P25
Транзистор полевой P-канальный 250В 9.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 9.4A
Сопротивление открытого канала: 620 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1180пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N20C
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.5A
Сопротивление открытого канала: 360 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N50CF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 610 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2096пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N60C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.5A
Сопротивление открытого канала: 730 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 2040пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N40C
Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 530 мОм
Мощность макс.: 44Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1090пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 2055пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF12N60C
Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 650 мОм
Мощность макс.: 51Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 2290пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF12P10
Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.2A
Сопротивление открытого канала: 290 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF13N06L
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 24Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF13N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100В 8.7А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
FQPF13N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2055пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF15P12
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 120В
Ток стока макс.: 15A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.: 41Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 1100пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FQPF16N15
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 11.6A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 53Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF16N25C
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 15.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
FQPF18N50V2
Полевой транзистор, N-канальный, 500В 18А 69Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
FQPF19N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13.6A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.