Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6839)
FQP44N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 146Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP45N15V2 Транзистор полевой N-канальный 150В 45A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP46N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 45.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 45.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP4N80 Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP4N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4A 140Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP50N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52.4A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP55N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 155Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP5N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP7P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 410 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP85N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 85 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 178Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"