Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
FQP70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP7P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 410 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP85N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 85 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 178Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 171Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP8P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 9.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N50CF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2096пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF10N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 730 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 2040пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N40C Транзистор полевой N-канальный 400В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF12P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8.2А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF13N06L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 24Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF13N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100В 8.7А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"